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Techniken zur Behebung von Leckstromverlusten in der letzten Stufe und dynamischen IR-Abfällen

by N. S. Murti Sarma , Petta Veera Bala Vasantha Kumar
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Book cover type: Paperback
  • ISBN13: 9786209333019
  • Binding: Paperback
  • Subject: N/A
  • Publisher: Verlag Unser Wissen
  • Publisher Imprint: Verlag Unser Wissen
  • Publication Date:
  • Pages: 108
  • Original Price: GBP 47.76
  • Language: German
  • Edition: N/A
  • Item Weight: 155 grams
  • BISAC Subject(s): Electronics / General

In dieser Monografie werden die Probleme der Leckstromleistung, der Stromintegrit�t aufgrund von Ersatzzellen und Spitzen-IR-Abf�llen behandelt. Der Umfang der vorgeschlagenen L�sung liegt auf der Ebene des physikalischen Designs nahe dem Designabschluss, wo Optimierungswerkzeuge nur �ber begrenzte Ressourcen zur Behebung dieser Probleme verf�gen. Es gibt jedoch viel Spielraum f�r zuk�nftige Arbeiten in anderen Bereichen des Low-PM-Spektrums, wie z. B. auf Schaltungsebene, Architekturebene, Design-Ebene und Software-Codierungsebene. Die meisten heutigen Halbleiterentwickler sind aufgrund des Aufwands f�r die �nderung bestehender Abl�ufe und der engen Design-Zeitpl�ne nicht an sehr neuen Techniken wie Gate-Array-ECO-Abl�ufen unter Verwendung von ECO-Kits von Bibliotheksanbietern interessiert. Die vorgeschlagene Technik der "optimalen Zustandszuweisung" kann dazu beitragen, die Leckage von Ersatzzellen zu reduzieren, ohne die Designabl�ufe zu beeintr�chtigen, aber die Umstellung auf diese neuen Techniken wird zu einer vollst�ndigen Reduzierung der Leckleistung von Ersatzzellen beitragen. Ein weiterer m�glicher Bereich f�r zuk�nftige Untersuchungen ist die Verwendung von 65-nm-, 45-nm-, 32-nm- und 28-nm-Bibliotheken f�r die Implementierung verschiedener datenflussintensiver Architekturen, um die vorgeschlagene Technik der "selektiven Glitch-Reduzierung" zu validieren.

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