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Techniques pour traiter la récupération des fuites en phase finale et la chute de tension dynamique

by N. S. Murti Sarma , Petta Veera Bala Vasantha Kumar
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Book cover type: Paperback
  • ISBN13: 9786209335570
  • Binding: Paperback
  • Subject: N/A
  • Publisher: Editions Notre Savoir
  • Publisher Imprint: Editions Notre Savoir
  • Publication Date:
  • Pages: 108
  • Original Price: GBP 47.76
  • Language: French
  • Edition: N/A
  • Item Weight: 155 grams
  • BISAC Subject(s): Electronics / General

Cette monographie traite respectivement des probl�mes li�s � la puissance de fuite, � l'int�grit� de l'alimentation due aux cellules de r�serve et � la chute de tension maximale. La solution propos�e s'inscrit dans le cadre de la conception physique, � un stade proche de la finalisation, o� les outils d'optimisation disposent de ressources limit�es pour r�soudre ces probl�mes. Cependant, il existe un vaste champ d'action pour des travaux futurs dans d'autres domaines du spectre � faible PM, tels que le niveau des circuits, le niveau architectural, le niveau de conception et le niveau de codage logiciel. La majorit� des concepteurs de semi-conducteurs actuels ne sont pas int�ress�s par les techniques tr�s r�centes telles que les flux ECO de r�seaux de portes utilisant des kits ECO fournis par les fournisseurs de biblioth�ques, en raison des efforts n�cessaires pour modifier les flux existants et des calendriers de conception serr�s. La technique propos�e d' attribution optimale d'�tat peut aider � r�duire les fuites des cellules de r�serve sans affecter les flux de conception, mais le passage � ces nouvelles techniques contribuera � r�duire compl�tement la puissance de fuite des cellules de r�serve. Un autre domaine d'�tude possible pour l'avenir consiste � utiliser des biblioth�ques de 65 nm, 45 nm, 32 nm et 28 nm pour la mise en oeuvre de diverses architectures � flux de donn�es intensif afin de valider la technique propos�e de r�duction s�lective des glitches .

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